RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3025
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link