RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
71
En 62% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
71
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
1956
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link