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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2628
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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