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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2516
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
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