RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3119
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link