Comparación de la memoria RAM PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

Puntuación global

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 28

En 4% menor latencia

Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

17.1 13.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

14.1 8.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 10600

En 2.01 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2274 3379

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns