RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3392
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link