RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3142
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Jinyu 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link