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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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Especificaciones
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PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
27
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
21
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
20.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
4170
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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