RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3164
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link