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PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2846
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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