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PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2545
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Mushkin 996902 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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