Comparación de la memoria RAM PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Puntuación global

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 42

En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.8 13.1

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.5 8.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 10600

En 2.01 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

PNY Electronics PNY 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2274 2525

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns