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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2171
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Kingston 9905622-055.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
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Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
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