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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2408
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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