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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2371
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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