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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB

Puntuación global
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global
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Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB

Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

PNY Electronics PNY 2GB Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 12.7
    Valor medio en las pruebas
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB Razones a tener en cuenta
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 8.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 12.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 9.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2274 left arrow 2071

PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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