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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2365
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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