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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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Especificaciones
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PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2989
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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