RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2417
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 7200LL Series 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8F 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link