RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2825
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link