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PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3628
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Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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