RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2196
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link