Comparación de la memoria RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Puntuación global

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB

Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

23 27

En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.8 13.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.7 8.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 10600

En 1.81 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2274 3147

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns