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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
66
En 59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
66
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
7.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
1862
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
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Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
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