PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

Puntuación global
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    18.7 left arrow 13.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    17.8 left arrow 8.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 10600
    En 2.42 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 18.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 17.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2274 left arrow 3963
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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