RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2708
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link