RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3562
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link