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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Puntuación global
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Puntuación global
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
38
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2753
2804
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
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