RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
71
En -129% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2869
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link