RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
71
左右 -129% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
31
读取速度,GB/s
2,831.6
12.2
写入速度,GB/s
1,322.6
12.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2869
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link