RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2869
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link