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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
38
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2753
2762
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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