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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Compara
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
79
En -126% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
1,468.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
79
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,061.8
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,468.1
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
422
2068
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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