RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Comparez
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Note globale
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
79
Autour de -126% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
1,468.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
79
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,061.8
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,468.1
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
422
2068
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link