RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Compara
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Puntuación global
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,069.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
106
En -279% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
106
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,273.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,069.2
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
734
2417
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link