RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,069.2
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
106
Около -279% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
106
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,273.7
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,069.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
734
2417
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Сравнения RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link