Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB против Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB

-->

Средняя оценка

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Средняя оценка

Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB

Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Причины выбрать
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

106 117

Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

3 1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

5300 1300

Около 4.08% выше полоса пропускания

Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB

Причины выбрать
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

899.7 2,069.2

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

106 117
Скорость чтения, Гб/сек

3,273.7 1,315.5
Скорость записи, Гб/сек

2,069.2 899.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 1300

Other

Описание

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC-1300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

no data no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

734 362

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Kingston 9965662-019.A00G 32GB

Kingston 9965662-019.A00G 32GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston 9905625-098.A00G 16GB

Kingston 9905625-098.A00G 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB

SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB

Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB

модули RAM

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB

Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM