RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB

総合得点
star star star star star
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

総合得点
star star star star star
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB

Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB 考慮すべき理由
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    106 left arrow 117
    周辺 9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 1300
    周辺 4.08% 高帯域
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB 考慮すべき理由
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    899.7 left arrow 2,069.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    106 left arrow 117
  • 読み出し速度、GB/s
    3,273.7 left arrow 1,315.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,069.2 left arrow 899.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 1300
Other
  • 商品説明
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC-1300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    734 left arrow 362

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB RAMの比較

Kingston KP6FH5-MIE 32GB

Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB RAMの比較

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
メモリRAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
メモリRAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
メモリRAM