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Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
55
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
1,622.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
55
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,098.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,622.4
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
628
3035
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
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