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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
59
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.8
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.0
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
8.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
5.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
1967
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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