RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
59
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.8
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.0
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
37
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
8.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
5.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
1967
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Comparações de RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link