RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
27
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
10.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2955
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link