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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
27
读取速度,GB/s
14.4
14.8
写入速度,GB/s
9.5
10.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2955
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
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