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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
43
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.0
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
18.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
4005
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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