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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
60
74
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
2,168.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
74
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
1849
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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