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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
74
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
74
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
8.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
1849
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Comparações de RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
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