RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
43
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
3595
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link