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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB vs Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
107
En 75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
4.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
107
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
4.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
1022
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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