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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB vs Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
107
Rund um 75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
4.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
107
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
4.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
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Frequency (Mhz) *
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