RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB vs Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
107
Rund um 75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
4.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
107
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
4.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
1022
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link